10月12日周二,据韩媒消息,三星基于EUV光技术的14nm动态随机存取存储器进入量产。这是继去年三月份三星首款EUV DRAM后,现阶段为DDR5提供更优质的解决方案,据DDR5的新标准来看,它可以带来7.2Gbps的超高速。
据三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人的介绍,三星正在通过多层EUV 建立起另一个技术的里程碑,该技术实现了14nm的极致化,作为传统的ArF工艺是无法匹敌的。
资料显示,三星通过在14纳米的DRAM中添加五个极紫外光层的技术实现了超高的比特密度,同时将整体晶圆的生产率提高了约两成。此外与上一代的相比,这项工艺还有助于近百分之二十的功耗降低。
另外,三星还表示,在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场,未来在此基础上,还会继续为5G、AI以及虚拟世界中所需的更高性能和更大容量的数据驱动计算提供最具差异化的内存解决方案。为满足全球IT系统快速增长后的需求,将会把将容量提升到24GB。并且还计划扩展其该产品组合,以支持超级计算机、数据中心、企业服务器应用。
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